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可變光衰減器(VOA):核心技術(shù)解析與應(yīng)用場景攻略

2025-07-22

7大VOA技術(shù)指標(biāo)對比及DWDM系統(tǒng)動態(tài)功率均衡解決方案


在密集波分復(fù)用(DWDM)系統(tǒng)中,光信號的功率均衡是實現(xiàn)長距離高速傳輸?shù)年P(guān)鍵。可變光衰減器(VOA)作為動態(tài)功率調(diào)節(jié)的核心器件,其性能直接影響整個光網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性與傳輸效率。本文將系統(tǒng)剖析當(dāng)前主流的 VOA 技術(shù)原理、性能差異及應(yīng)用場景,為光通信系統(tǒng)設(shè)計提供權(quán)威技術(shù)參考。作為光通信器件領(lǐng)域的專業(yè)企業(yè),廣西科毅光通信科技有限公司(官網(wǎng):www.www.racimosdehumanidad.com)已實現(xiàn)多種 VOA 與光開關(guān)的集成方案,相關(guān)測試技術(shù)可參考《光無源器件測試技術(shù)全解析:從原理到實踐的專業(yè)指南》。



一、VOA 技術(shù)原理與分類

可變光衰減器通過主動調(diào)節(jié)光信號的衰減量,實現(xiàn)多通道功率均衡、接收機(jī)保護(hù)及動態(tài)增益控制。根據(jù)工作原理可分為七大技術(shù)流派,各具獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計與性能優(yōu)勢。


①高分子可調(diào)衍射光柵 VOA

基于薄膜表面調(diào)制技術(shù)的高分子 VOA,其核心結(jié)構(gòu)由玻璃基底、銦錫氧化物(ITO)電極及聚合物層構(gòu)成(圖 1)。未加電時,聚合物與空氣界面保持平面狀態(tài),入射光無衍射直接透射;加電后,界面形成周期性正弦光柵,通過調(diào)節(jié)電壓改變光柵振幅(最大 300nm),實現(xiàn)零級衍射光強(qiáng)從 100% 到 0% 的連續(xù)調(diào)控。


 高分子可調(diào)衍射光柵 VOA 加電前后結(jié)構(gòu)示意圖,展示正弦光柵形成原理

圖 1


該技術(shù)的突出優(yōu)勢在于微秒級響應(yīng)速度與 0.8dB 的超低插入損耗,配合內(nèi)置的光功率監(jiān)控功能,在城域網(wǎng) DWDM 系統(tǒng)中表現(xiàn)出優(yōu)異的性價比。其溫度特性穩(wěn)定(-6~70℃),無需額外補(bǔ)償電路,特別適合戶外基站部署。


②磁光 VOA

利用法拉第磁致旋光效應(yīng)的磁光 VOA,通過磁場調(diào)控偏振態(tài)實現(xiàn)衰減(圖 2)。入射光經(jīng)雙折射晶體分為 o 光和 e 光,經(jīng)法拉第旋轉(zhuǎn)器后由全反射鏡折返,再次通過旋轉(zhuǎn)器和晶體。當(dāng)法拉第旋轉(zhuǎn)角為 45° 時,兩束光偏振態(tài)互換后平行出射,衰減最??;旋轉(zhuǎn)角為 0° 時,光束分離導(dǎo)致最大衰減。


 偏振無關(guān)磁光 VOA 結(jié)構(gòu)示意圖,含雙折射晶體、法拉第旋轉(zhuǎn)器及光路走向


圖 2

磁光 VOA 的響應(yīng)時間可達(dá) 35ms 以下,動態(tài)范圍 25dB,但磁疇效應(yīng)會導(dǎo)致衰減重復(fù)性偏差,需配合精密磁場控制技術(shù)改善。目前主要應(yīng)用于軍工通信等對響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛的場景。


③液晶 VOA

液晶材料的折射率各向異性使其成為天然的光調(diào)制介質(zhì)(圖 3上)。未加電時,液晶分子平行排列,使入射光偏振態(tài)旋轉(zhuǎn) 90°;加電后分子垂直排列,偏振態(tài)不變。通過雙折射晶體的分束與合束,未被接收的光束形成衰減(圖 3下)。

 

液晶 VOA 加電前后分子排列對比,展示偏振調(diào)控原理

圖 3

 


該技術(shù)成本僅為 MEMS 方案的 60%,但溫度敏感性強(qiáng)(0-65℃工作范圍),低溫環(huán)境下響應(yīng)時間會延長至數(shù)百毫秒,更適合室內(nèi)機(jī)房環(huán)境使用。


④ MEMS VOA

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)在 VOA 領(lǐng)域衍生出反射式與衍射式兩種方案(圖 4)。反射式通過靜電驅(qū)動微鏡扭轉(zhuǎn)改變反射光耦合效率;衍射式則通過動?xùn)艞l位移形成動態(tài)光柵,調(diào)控一級衍射光強(qiáng)度。

 

反射式與衍射式 MEMS VOA 結(jié)構(gòu)對比,標(biāo)注核心驅(qū)動部件

圖 4


MEMS VOA 的突出優(yōu)勢在于 0.2dB 的超低偏振相關(guān)損耗(PDL),動態(tài)范圍可達(dá) 25dB 以上,響應(yīng)時間最快 1ms。但作為機(jī)械結(jié)構(gòu),其長期可靠性受振動影響較大,需在封裝中加入減震設(shè)計。


⑤平面光波導(dǎo) VOA

基于光子集成技術(shù)的平面光波導(dǎo) VOA 分為兩類:Mach-Zehnder 干涉儀(MZI)型利用熱光效應(yīng)改變光程差(圖 5),電吸收(EA)型則通過載流子注入調(diào)節(jié)吸收系數(shù)(圖 6)。

 



MZI 型平面光波導(dǎo) VOA 示意圖,含加熱器與干涉臂結(jié)構(gòu)

圖 5

 

電吸收型平面光波導(dǎo) VOA 結(jié)構(gòu)圖,標(biāo)注 PN 結(jié)與波導(dǎo)層

圖 6


MZI 型動態(tài)范圍可達(dá) 40dB,適合大功率調(diào)節(jié);EA 型響應(yīng)時間 < 1ms,可兼作低速調(diào)制器,兩者均利于高密度集成,但插入損耗較高(1.5-2.0dB)。


⑥高光電系數(shù)材料 VOA

采用特殊陶瓷光電材料(光電系數(shù)優(yōu)于鈮酸鋰)的自由空間結(jié)構(gòu) VOA(圖 7),通過電壓調(diào)控材料折射率實現(xiàn)衰減。其優(yōu)勢在于無需波導(dǎo)結(jié)構(gòu),可承受大功率輸入,響應(yīng)時間 < 0.5ms,適合高功率光放大鏈路應(yīng)用。

 

高光電系數(shù)材料 VOA 結(jié)構(gòu)圖,展示準(zhǔn)直器與光電元件布局

圖 7


二、核心性能參數(shù)對比

不同技術(shù)路線的 VOA 在關(guān)鍵指標(biāo)上呈現(xiàn)顯著差異,需根據(jù)應(yīng)用場景精準(zhǔn)選型(表 1)。

 

技術(shù)類型

工作波長范圍

動態(tài)范圍

插入損耗

偏振相關(guān)損耗

響應(yīng)時間

工作溫度

成本指數(shù)

高分子衍射光柵 

C 波段

20dB

0.8dB

0.5dB

<5ms

-6~70℃

100

磁光型  

C 波段

25dB

1.2dB

0.5dB

<35ms

0~65℃

反射式 MEMS

C+L 波段

≥25dB

0.8dB

0.2dB

<5ms

-5~70℃

100

衍射式 MEMS

C+L 波段

20dB

0.8dB

0.2dB

<1ms

-5~70℃

100

液晶型  

C 波段

25dB

1.0dB

0.4dB

<0.3ms

0~65℃

MZI 光波導(dǎo)

C+L 波段

40dB

1.5dB

0.4dB

<5ms

-5~70℃

EA 光波導(dǎo)

C+L 波段

25dB

2.0dB

0.5dB

<1ms

-5~70℃

高光電材料  

C+L 波段

≥20dB

0.9dB

0.5dB

<0.5ms

0~70℃

表 1:主流 VOA 技術(shù)性能參數(shù)對比(成本指數(shù)以高分子型為基準(zhǔn))

關(guān)鍵參數(shù)解析

1.      動態(tài)范圍:MZI 光波導(dǎo)型可達(dá) 40dB,適合長距離干線網(wǎng);而城域網(wǎng)應(yīng)用中 25dB 已足夠滿足需求。

2.      偏振相關(guān)損耗:MEMS 技術(shù) < 0.2dB 的優(yōu)勢,使其成為偏振敏感系統(tǒng)的首選。

3.      溫度特性:高分子與 MZI 光波導(dǎo)型在 - 5~70℃范圍內(nèi)性能穩(wěn)定,無需溫補(bǔ)電路。

4.      響應(yīng)時間:衍射式 MEMS(<1ms)與高光電材料(<0.5ms)適合動態(tài)光網(wǎng)絡(luò)節(jié)點。



三、典型應(yīng)用場景

VOA 的技術(shù)選型需緊密結(jié)合應(yīng)用場景的核心訴求,以下為三大典型應(yīng)用案例:

①DWDM 系統(tǒng)功率均衡

在 80 通道 DWDM 系統(tǒng)中,各通道功率偏差需控制在 ±0.5dB 以內(nèi)。采用高分子可調(diào)衍射光柵 VOA 陣列,配合在線光功率監(jiān)測,可實現(xiàn)每個通道 0.1dB 步進(jìn)的精密調(diào)節(jié)。其 0.8dB 的低插損特性,可減少對 EDFA 增益的消耗,延長傳輸距離約 10km。

 

②可重構(gòu)光分插復(fù)用器(ROADM)

ROADM 節(jié)點需要快速切換的光衰減功能,衍射式 MEMS VOA 憑借 < 1ms 的響應(yīng)時間,完美適配波長調(diào)度需求。廣西科毅光通信科技將其與 1×4光開關(guān)集成,構(gòu)建的緊湊型模塊(尺寸 < 100×80mm)已應(yīng)用于中國移動省級干線網(wǎng)。


③接收機(jī)過載保護(hù)

在突發(fā)光信號場景(如 PON 系統(tǒng) ONU 端),液晶 VOA 的 < 0.3ms 快速響應(yīng)可有效抑制功率驟升導(dǎo)致的接收機(jī)損壞。其低成本優(yōu)勢使每端口保護(hù)方案成本降低 40%,特別適合 FTTH 大規(guī)模部署。



三、技術(shù)發(fā)展趨勢

VOA 技術(shù)正朝著三大方向演進(jìn):一是芯片級集成,MZI 型 VOA 已實現(xiàn)與光開關(guān)、波分復(fù)用器的單片集成,通道密度達(dá) 64 通道 / 芯片;二是智能化,加入 AI 功率預(yù)測算法的 VOA 模塊,可提前 50ms 預(yù)判功率波動;三是寬波段兼容,最新的高光電系數(shù)材料 VOA 已實現(xiàn) 1260-1650nm 全波段覆蓋。

廣西科毅光通信科技有限公司通過自研的微光學(xué)對準(zhǔn)平臺,已突破 VOA 與光開關(guān)的集成難題,相關(guān)產(chǎn)品在隔離度(>60dB)、溫度穩(wěn)定性(±0.1dB/℃)等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到國際領(lǐng)先水平。更多技術(shù)細(xì)節(jié)可訪問官網(wǎng)技術(shù)白皮書欄目。



四、選型決策指南

選擇 VOA 時需遵循 "三看" 原則:一看系統(tǒng)帶寬,C+L 波段應(yīng)用優(yōu)先選擇MEMS或光波導(dǎo)技術(shù);二看響應(yīng)速度,動態(tài)網(wǎng)絡(luò)節(jié)點需 < 5ms 響應(yīng)的方案;三看成本敏感程度,大規(guī)模部署可選用液晶或高分子技術(shù)。建議結(jié)合《光無源器件測試技術(shù)全解析》中提到的插入損耗、偏振相關(guān)損耗測試方法,對候選方案進(jìn)行全面驗證。

隨著 5G 承載網(wǎng)向 200G/400G 升級,VOA 作為核心調(diào)節(jié)器件將面臨更高的性能挑戰(zhàn)。廣西科毅光通信將持續(xù)推動 VOA與光開關(guān)、可調(diào)濾波器的集成創(chuàng)新,為下一代光網(wǎng)絡(luò)提供更具競爭力的解決方案。


選擇合適的無源光器件是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應(yīng)商實力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細(xì)對比關(guān)鍵參數(shù),并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實、質(zhì)量可靠、服務(wù)專業(yè)的合作伙伴。

 

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